英特尔正在台积电进行艰苦的工作，有消息称其2纳米研发取得了突破

英特尔在2纳米以下工艺节点上的最新突破

据《台湾经济日报》报道，英特尔高级副总裁兼中国区董事长王瑞近日向媒体透露，英特尔20A（业界2纳米工艺）和英特尔18A（相当于1.8纳米工艺）已经完成了“Tape Out”（tape：指芯片通过一系列类似组装线的工艺步骤制造出来。“Tape Out”在集成电路设计领域中指的是“试制”）工作。这也是英特尔四年内迅速发展五个工艺节点的目标之一，此次发布的信息也引起了外界的关注。

英特尔近年来在芯片工艺技术的发展方面取得了惊人的成就。其计划从英特尔10工艺开始，有条不紊地逐步进入英特尔7和英特尔4技术节点，然后是英特尔3、英特尔20A和最新的英特尔18A工艺。目前，英特尔大规模生产的最新技术是英特尔7工艺，而英特尔18A工艺预计将在2024年下半年实现。也就是说，例如2024年9月下半年就是18个月后。英特尔希望在这18个月内征服几个工艺节点。这一速度震惊了市场。

英特尔4物理参数：密度是英特尔7的两倍

让我们深入研究一下将于今年下半年推出的英特尔4工艺，以及它的神圣之处。不难看出，英特尔已经开始解决之前留下的问题。首先要解决的是密度问题。在这样细小的工艺节点上，业内许多人开始动摇工艺技术的“摩尔定律”和“丹纳德缩放定律”。

摩尔定律：一个集成电路所能容纳的晶体管数量将大约每18至24个月翻一番。

丹纳德缩放定律：随着晶体管尺寸缩小，它们的功率密度保持不变，使芯片功率与芯片面积成正比。

回到英特尔先前发布的数据，英特尔4的Fin间距已降至30纳米，相当于英特尔7的34纳米的88％，而接触栅极间距也从原来的60纳米降至50纳米，并且最小金属间距（M0）也有所降低。HP库高度也减少了近一半，从408h降至140h，仅为英特尔7的0.59倍。因此，英特尔声称英特尔4的密度是英特尔7的两倍。当然，业内更倾向于说，在相同的芯片性能下，英特尔4可以将英特尔7制造的芯片大小减半。

由于芯片上的晶体管是二维结构，因此英特尔的单个单元计算方法为：HP图书馆高度*接触栅聚合物间距；根据这种计算方法，英特尔7工艺的面积为24408平方纳米，而英特尔4工艺的面积为12000平方纳米。按照这种计算方法，英特尔4工艺的面积为英特尔7工艺的49％。当然，芯片内部有许多不同的电路结构，并不是每个结构都可以用上述公式计算，因此英特尔4工艺的官方说法是，相同单元的大小为英特尔7的77％。

在关键的2025年决战中，英特尔将以强硬的态度重新夺回领先地位。

让我们把目光投向更先进的Intel 3、20A和18A工艺节点。虽然官方没有透露具体的性能参数，但最新消息是，Intel 3工艺的进展也如预期那样顺利。关于Intel Granite Rapids和Sierra Forest系列处理器，计划使用自己的Intel 3工艺进行生产，并且先前的消息也显示，Intel 3工艺可以进一步利用FinFET和EUV的优势，大大提高芯片密度、面积和功耗等性能参数。

据Intel中国区高级副总裁兼主席王瑞表示，全球十大需求晶圆代工的主要客户中，有七家正在积极洽谈与Intel的业务合作，晶圆代工公司（IFS）也与43个潜在客户合作进行晶圆流片。从Intel当前的行动来看，它正在积极扩大产能和改善工艺节点技术。在美国芯片法案的支持下，Intel有信心在2025年重返芯片制造的领先地位。